SiC模块_国科赛思

序号	类别	Vds Min (V)	ID@TC=25°C	RDS(On) Max 10V(mΩ)	RDS(On) Max 4.5V(mΩ)	Pd@TC=25°C (W)	Vgs(±V)	Vds Min (V)	Vds Min (V)	Vds Min (V)	封装	PDF
1	Hkhhk	20	85	N/A	4.3	62.5	0.4~1.0	1418	21.6	-	Single-N	PDF
2	Hkhhk	20	85	N/A	4.3	62.5	0.4~1.0	1418	21.6	-	Single-N	PDF